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一、工程概況
本項目為深圳某半導體有限公司潔凈廠房無塵車間裝修工程，其中中試廠房建筑面積約2116.8 m2，裝修面積2116.8 m2，空調送風面積 1547.42m2。廠房為單層鋼筋混凝土框架結構組成，耐火等級為二級，火災危險性等級為甲類，樓板高度5.85m。廣東康合有半導體凈化車間設計施工經驗。為了更高效的推進項目的進展，歡迎有需求的客戶，直接電話或在線留言，我們會安排專業技術工程師與您詳細溝通。
墻板及吊頂：本工程隔墻采用企口型機制玻鎂巖棉夾芯板0.426， 玻鎂巖棉彩鋼板符合潔凈廠房二級消防要求，玻鎂巖棉彩鋼夾芯板具有1000℃的耐火性能，耐火等級達到A級。巖棉密度：≥100kg/m3；導熱系數：≤0.046w/m.k；燃燒性能：A級(不燃)。耐火極限為30~120分鐘。廣泛應用于食品、電子、醫藥、飲料、生物研究等行業。你可能感興趣：半導體凈化級別
地板：本工程車間內地面采用防靜電型PVC地板，其中千級和百級車間采用防靜電型架高鋼板，其它為普通型PVC地板。 PVC地板是當今世界上非常流行的一種新型輕體地面裝飾材料，也稱為“輕體地材” 使用非常廣泛，比如家庭、醫院、學校、辦公樓、工廠、公共場所、超市、商業、等各種場所。
三、暖通工程
設備：空調制冷負荷：經統計計算，總冷負荷約500KW。采用恒溫恒濕潔凈空調，夏季采用磁懸浮水冷機組，冬季采用廠區鍋爐熱水供熱。
風管：風管采用共板法蘭風管。
水管：空調水管采用無縫鋼管。水泵采用星-三角降壓啟動。
四、特種氣體工程
工藝氣體種類多，純度高，并且易燃易爆有毒。安全問題突出，為保證系統的安全和穩定可靠，建議采用進口成熟產品。
因為 MOCVD 生長使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質，并且要生長多組分、大面積、薄層和超薄層異質材料，因此在MOCVD 系統的設計思想上，通常要考慮系統密封性要好，流量、溫度控制要精確，組分變換要迅速，系統要緊湊等。核心工作是氣體輸運系統和尾氣處理系統。
五、空壓氣體工程
螺桿式空壓機組主要主要有以下系統組成：空氣流程系統、潤滑油流程系統、冷卻系統、安全保護系統、控制系統及電氣線路。螺桿式空壓機組主要有壓縮機、電動機、空氣濾清器、進氣閥、油氣桶、空氣冷卻器、潤滑油冷卻器壓力開關、單向閥、儲氣罐、壓力表、自動排水器、安全閥等設備部件。另外在空壓機系統中大多配置冷干機和空氣干燥器。
六、廢氣工程
由于半導體工藝對操作室清潔度要求極高，通常使用風機抽取工藝過程中揮發的各類廢氣，因此半導體行業廢氣排放具有排氣量大、排放濃度小的特點。廢氣排放也以揮發為主。表中給出了不同生產工藝排放的廢氣組成。這些廢氣排放主要可以分為四類：酸性氣體、堿性氣體、有機廢氣和有毒氣體。
生產廢氣排放源及組成表
| 廢氣來源 | 組成 |
| 外延工序 | SiH4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4、AsH3、B2H6、PH3、HCl、H2 |
| 清洗工序 | H2SO4、H2O2、HNO3、HCl、HF、H3PO4、NH4F、NH4OH 等 |
| 光刻工序 | 異丙醇、醋酸丁酯、甲苯、Cl2、BCl3、C2F6、C3F8、CF4、SF6、HF、HCl、NO、C3H8、HBr、H2S 等 |
| 化學機械拋光 | NH4OH、NH4Cl、NH3、KOH、有機酸鹽 |
| 化學氣相沉淀 | SiH4、SiH2Cl2、SiCl4、SiF4、CF4、B2H6、PH3、NF3、HCl、HF、NH3 |
| 擴散、離子注入 | BF3、AsH3、PH3、H2、SiH4、SiH2Cl2、BBr3、BCl3、B2H6 |
| 金屬化工序 | SiH4、BCl3、AlCl3、TiCl4、WF6、TiF4、SiF4、AlF3、BF3、SF6等 |
對于有機廢氣采用吸附、焚燒或兩者相結合的處理方法。因為半導體工藝過程中有機廢氣具有排放流量大（通常大于11039 m3/小時）和濃度低（通常小于25ppmv）的特點，使用其它的處理技術難以達到令人滿意的處理效率。沸石濃縮轉輪后再吸附或焚燒。
七、電氣工程
空調動力電工程：統計總用電量約830KW，空調用電約330KW。
動力（鍍鋅線槽）沿墻體及天花敷設，再分至車間及設備電箱，安裝在樓板下。主電纜采用YJV型號。
八、弱電系統工程
1、高清視頻監控 系統采用1200W網絡監控攝像機，通過千兆交換組網在機房中心進行集中存儲， 系統設計7*24小時不間斷運行，實現1080P存儲1個月以上，管理人員可通過電腦進行監控查看，錄像回放等操作。
2、門禁管理系統 門禁系統已成為安防系統極其重要的組成部分，門禁系統將監控被動防范的方式進行了主動防范補充。通過網絡一體式門禁管理機，配合門禁專用電源、電磁鎖可將主要出入口設置為授權式管理，避免了與車間無關人員的頻繁出入。
九、智能平臺
潔凈系統中的風量控制采用文丘里閥門，實時監控流量及狀態，可在線診斷。并可以維持房間壓力、溫度、濕度的平穩可靠。
中控室中把空調、特氣、純水、監控、房間溫濕度等參數集成管理、顯示、儲存，并對數據進行打印輸出及溯源查找。
并經設備輸出在參觀通道播放，方便參觀。
十、純水工程
1、設備產水能力：
2、RO系統：一級RO反滲透產水量≥8m3/h（水溫保證在25℃時）；
二級RO反滲透產水量≥6m3/h（水溫保證在25℃時）；
3、EDI系統：EDI產水量≥5m3/h（水溫在25℃時）；
4、終端拋光混床產水能力為：≥5m³/H（水溫保證在25℃時）；
5、設備產水水質指標：
終端拋光混床產水水質為：≥18.0MΩ.cm（水溫保證在25℃時，測點在拋光混床出口3米內，95%時間）
其它技術指標參照我國的電子級水的技術指標（GB11446.1-1977）EW-1
| 指標 級別 | EW-I | EW-II | EW-III | EW-IV |
| 電阻率（25℃）MΩ.cm |
18（95%時間） 不低于15 |
15（95%時間） 不低于12 |
12.0 | 0.5 |
| 全硅，最大值（ug/L） | 2 | 10 | 50 | 1000 |
| ≥1um微粒數，最大值（個/Ml） | 0.1 | 5 | 10 | 500 |
| 細菌個數，最大值（個/Ml） | 0.01 | 0.1 | 10 | 100 |
| 銅，最大值（ug/L） | 0.2 | 1 | 2 | 500 |
| 鋅，最大值（ug/L） | 0.2 | 1 | 5 | 500 |
| 鎳，最大值（ug/L） | 0.1 | 1 | 2 | 500 |
| 鈉，最大值（ug/L） | 0.5 | 2 | 5 | 1000 |
| 鉀，最大值（ug/L） | 0.5 | 2 | 5 | 500 |
| 氯，最大值（ug/L） | 1 | 1 | 10 | 1000 |
| 硝酸根，最大值（ug/L） | 1 | 1 | 5 | 500 |
| 磷酸根，最大值（ug/L） | 1 | 1 | 5 | 500 |
| 硫酸根，最大值（ug/L） | 1 | 1 | 5 | 500 |
| 總有機碳，最大值（ug/L） | 0. | 100 | 200 | 1000 |
由于設備用水的級別各不相同，可以在本設計流程中的某段引出合適的使用點即可。對于超純水必須采用UPVC材質（因金屬管道會析出離子），特別對于圓晶的生產，超純水會對額定的離子限值嚴格，所以采用進口的UPVC純水管道對產品質量有保證。
十一、廢水處理工程
半導體制造及封裝測試的各個工藝步驟都有大量的廢水產生，主要以酸堿廢水、含氟廢水、有機廢水為主。
⑴酸堿廢水
對于酸堿廢水處理前的pH值一般在3-11范圍內，時間間歇性強。在排放水體或進行生物處理或化學處理之前，必須進行中和，使廢水pH值達到6.5~8.5。但對于工業廢水中酸堿物質濃度高達3%~5%的廢水，應首先考慮其回收。
⑵含氟廢水
含氟廢水的治理技術主要為化學沉淀法，即投加化學藥品形成氟化物沉淀或氟化物被吸附于所形成的沉淀物中而共沉淀，然后分離固體沉淀物即可除去氟化物。
⑶有機廢水
依靠物理法、化學法很難處理有機廢水，通常采用生化法處理。
⑷金屬廢水
金屬廢水的處理主要用化學沉淀法，廢水中含有危害性很大的一些重金屬和某些類金屬（如砷）。
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